NOUVO M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T HG2283 plis HYNIX V7
M.2 2280 S2 NVME SSD HG2283 plis Hynix V7 1.SPECIFIKASYON PWODWI Kapasite - 128GB, 256GB, 512GB, 1024GB, 2048GB - Sipò pou 32-bit adrese mòd Entèfas Elèktrik/Fizik - PCIe − Konfòme ak NVMe 1.3 − PCIe Express Base Ver 3.1 − PCIe Gen 3 x 4 liy & bak konpatib pou...
M.2 2280 S2 NVME SSD HG2283 plis Hynix V7
1.PRODUCT ESPESIFIKASYON
Kapasite
− 128GB, 256GB, 512GB, 1024GB, 2048GB
− Sipòte mòd 32-bit adrese
Entèfas elektrik / fizik
− Entèfas PCIe
− Konfòme ak NVMe 1.3
− PCIe Express Base Ver 3.1
− PCIe Gen 3 x 4 liy & bak konpatib ak PCIe Gen 2 ak Gen 1
− Sipòte jiska QD 128 ak pwofondè keu ki rive jiska 64K
− Sipòte jesyon pouvwa
Sipòte NAND Flash
− Sipòte jiska 16 Flash Chip Enables (CE) nan yon sèl konsepsyon
- Sipòte jiska 4pcs nan flash BGA132
− Sipòte 8-bit I/O NAND Flash
− Sipòte Toggle2.0, Toggle3.0, ONFI 2.3, ONFI 3.0, ONFI 3.2 ak ONFI 4.0 koòdone
Samsung V6 3D NAND
Hynix V7 3D NAND
ECC Konplo
− HG2283 PCIe SSD aplike LDPC nan algorithm ECC.
Sipò Gwosè Sektè
− 512B
- 4KB
UART/GPIO
Sipòte kòmandman SMART ak TRIM
LBA Range
− Estanda IDEMA
Pèfòmans
Pèfòmans HG2283 plis Hynix V7 (1200Mbps)
|
Kapasite |
Estrikti Flash (pake BGA) |
CE# |
Kalite Flash |
Sekansyèl (CDM) |
IOMÈT |
||
|
Li (MB/s) |
Ekri (MB/s) |
Li (IOPS) |
Ekri (IOPS) |
||||
|
128GB |
DDP x 1 |
2 |
BGA132, Hynix V7 |
1650 |
1100 |
195K |
260K |
|
256GB |
DDP x 2 |
4 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
1850 |
360K |
450K |
|
512GB |
QDP x 2 |
8 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
2090 |
360K |
475K |
|
1024GB |
QDP x 4 |
16 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
2200 |
360K |
480K |
|
2048GB |
ODP x 4 |
16 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
2200 |
360K |
480K |
NÒT:
1. Pèfòmans te baze sou Hynix V7 TLC NAND flash.
Konsomasyon pouvwa
|
Kapasite |
Konfigirasyon Flash (pake BGA) |
|
Konsomasyon pouvwa3 |
|
|
|
Li (mW) |
Ekri (mW) |
PS3 (mW) |
PS4 (mW) |
||
|
128GB |
DDP x 1 |
2940 |
2530 |
50 |
5 |
|
256GB |
DDP x 2 |
4120 |
3400 |
50 |
5 |
|
512GB |
QDP x 2 |
4090 |
3390 |
50 |
5 |
|
1024GB |
QDP x 4 |
4050 |
3380 |
50 |
5 |
|
2048GB |
ODP x 4 |
4440 |
3810 |
50 |
5 |
NÒT:
1. Done yo mezire baze sou Hynix V7 512Gb mono mouri TLC Flash.
2. Konsomasyon pouvwa mezire pandan sekans li ak ekri operasyon yo fèt pa IOMeter.
Jesyon Flash
1.4.1. Kòd Koreksyon Erè (ECC)
Selil memwa flash yo pral deteryore ak itilizasyon, ki ta ka jenere erè ti jan o aza nan done yo ki estoke. Se konsa, HG2283 PCIe SSD aplike LDPC (Low Density Parity Check) nan algorithm ECC, ki ka detekte ak korije erè ki rive pandan pwosesis lekti, asire done yo te li kòrèkteman, osi byen ke pwoteje done kont koripsyon.
1.4.2. Mete nivelman
Aparèy flash NAND yo ka sèlman sibi yon kantite limite pwogram / efase sik, lè medya flash yo pa itilize menm jan, kèk blòk jwenn mete ajou pi souvan pase lòt ak tout lavi aparèy la ap redwi anpil. Kidonk, mete nivelman aplike pou pwolonje lavi NAND flash lè yo distribye ekri ak efase sik atravè medya yo.
HosinGlobal bay algorithm nivo avanse mete, ki ka byen gaye itilizasyon flash nan tout zòn medya flash la. Anplis, lè yo mete ann aplikasyon tou de algorithm nivelman dinamik ak estatik, esperans lavi a nan flash NAND amelyore anpil.
1.4.3. Move Jesyon blòk
Move blòk yo se blòk ki pa fonksyone byen oswa ki gen plis bits envalid ki lakòz done ki estoke enstab, epi fyab yo pa garanti. Blòk ki idantifye ak make kòm move pa manifakti a yo refere yo kòm "Early Bad Blocks". Move blòk ki devlope pandan lavi flash la yo rele "Later Bad Blocks". HosinGlobal aplike yon algorithm jesyon move blòk efikas pou detekte move blòk ki pwodui nan faktori ak jere move blòk ki parèt ak itilizasyon. Pratik sa a anpeche done yo estoke nan blòk move ak plis amelyore fyab done yo.
1.4.4. TAYE
TRIM se yon karakteristik ki ede amelyore pèfòmans li/ekri ak vitès kondui eta solid (SSD). Kontrèman ak kondui ki gen kapasite difisil (HDD), SSD yo pa kapab ranplase done ki egziste deja, kidonk espas ki disponib la piti piti vin pi piti ak chak itilizasyon. Avèk kòmand TRIM la, sistèm operasyon an ka enfòme SSD la pou yo ka retire blòk done ki pa itilize ankò pou tout tan. Kidonk, SSD a pral fè aksyon efase a, ki anpeche done ki pa itilize nan okipe blòk yo tout tan.
1.4.5. SMART
SMART, yon akwonim pou Teknoloji Self-Monitoring, Analysis and Reporting, se yon estanda ouvè ki pèmèt yon kondwi eta solid otomatikman detekte sante li epi rapòte echèk potansyèl yo. Lè SMART anrejistre yon echèk, itilizatè yo ka chwazi ranplase kondwi a pou anpeche pann inatandi oswa pèt done. Anplis, SMART ka enfòme itilizatè yo echèk kap vini yo pandan y ap gen tan toujou pou fè aksyon aktif, tankou sove done sou yon lòt aparèy.
1.4.6. Pwovizyon twòp
Over Provisioning refere a prezève zòn adisyonèl ki depase kapasite itilizatè a nan yon SSD, ki pa vizib pou itilizatè yo epi yo pa kapab itilize yo. Sepandan, li pèmèt yon kontwolè SSD itilize espas adisyonèl pou pi bon pèfòmans ak WAF. Avèk Over Provisioning, pèfòmans ak IOPS (Operasyon Antre/Sòti pou chak segonn) yo amelyore lè yo bay kontwolè a espas adisyonèl pou jere sik P/E, ki amelyore fyab la ak andirans tou. Anplis, anplifikasyon ekri nan SSD la vin pi ba lè a
kontwolè ekri done nan flash la.
1.4.7. Mizajou Firmware
Firmware ka konsidere kòm yon seri enstriksyon sou fason aparèy la kominike ak lame a. Firmware yo pral modènize lè yo ajoute nouvo karakteristik, pwoblèm konpatibilite yo fiks, oswa pèfòmans lekti/ekri amelyore.
1.4.8. Throttling tèmik
Objektif throttling tèmik la se anpeche nenpòt eleman nan yon SSD chofe pandan operasyon lekti ak ekri. HG2283 fèt ak yon Capteur tèmik sou-mouri ak presizyon li yo; firmwèr ka aplike diferan nivo nan throttling reyalize objektif la nan pwoteksyon avèk efikasite ak aktif atravè lekti SMART.
1.5. Aparèy avanse Sekirite Karakteristik
1.5.1. Secure Efase
Secure Erase se yon kòmand fòma NVMe estanda epi li pral ekri tout "0x{00" pou efase totalman tout done ki sou disk di ak SSD. Lè yo bay lòd sa a, kontwolè SSD pral efase blòk depo li yo epi retounen nan paramèt default faktori li yo.
1.5.2. Crypto Efase
Crypto Erase se yon karakteristik ki efase tout done yon SSD aktive OPAL oswa yon kondwi "SED" (Security-Enabled Disk) lè w reinitialize kle kriptografik disk la. Depi kle a modifye, done ki te deja ankripte yo ap vin initil, reyalize objektif sekirite done yo.
1.5.3. SID prezans fizik (PSID)
TCG OPAL defini SID Prezans Fizik (PSID) kòm yon 32-fich karaktè ak objektif la se retounen SSD tounen nan anviwònman fabrikasyon li lè kondwi a toujou aktive OPAL. Kòd PSID ka enprime sou yon etikèt SSD lè yon SSD OPAL aktive sipòte karakteristik PSID retounen.
1.6. Jesyon pou tout lavi SSD
1.6.1. Teraocte ekri (TBW)
TBW (Terabytes Written) se yon mezi pou lavi SSD yo espere, ki reprezante kantite done.
ekri nan aparèy la. Pou kalkile TBW yon SSD, yo aplike ekwasyon sa a:
Tibèt = [(NAND andirans) x (Kapasite SSD)] / [ALE]
NAND andirans: NAND andirans refere a sik P/E (Pwogram/Efase) nan yon flash NAND.
Kapasite SSD: Kapasite SSD a se kapasite espesifik nan total yon SSD.
ALE: Write Anplifikasyon Faktè (WAF) se yon valè nimerik ki reprezante rapò ant kantite done yon kontwolè SSD bezwen ekri ak kantite done kontwolè flash lame a ekri. Yon pi bon WAF, ki se tou pre 1, garanti pi bon andirans ak pi ba frekans done ekri nan memwa flash.
TBW nan dokiman sa a baze sou kantite travay JEDEC 218/219.
1.6.2. Media Mete Endikatè
Endikatè lavi aktyèl rapòte pa endèks byte SMART Attribute [5], Pousantaj Itilize, rekòmande Itilizatè pou ranplase kondwi lè li rive nan 100 pousan.
1.6.3. Mòd lekti sèlman (fen lavi)
Lè kondwi a gen laj pa pwogram akimile / efase sik, medya chire-soti ka lakòz ogmante kantite pi ta move blòk. Lè kantite bon blòk ki ka itilize yo tonbe andeyò yon seri ka itilize defini, kondwi a pral avize Hòt atravè evènman AER ak Avètisman Kritik pou antre nan Mode Read Only pou anpeche plis koripsyon done. Itilizatè a ta dwe kòmanse ranplase kondwi a ak yon lòt imedyatman.
1.7. Apwòch adaptasyon nan akor pèfòmans
1.7.1. Debi
Ki baze sou espas ki disponib nan disk la, HG2283 pral kontwole vitès lekti/ekri ak jere pèfòmans nan debi. Lè toujou rete anpil espas, firmwèr la pral kontinyèlman fè aksyon li / ekri. Pa gen okenn nesesite pou aplike koleksyon fatra pou asiyen ak lage memwa, ki pral akselere pwosesis lekti/ekri pou amelyore pèfòmans lan. Okontrè, lè espas la pral itilize, HG2283 pral ralanti pwosesis lekti/ekri, epi aplike koleksyon fatra pou libere memwa. Pakonsekan, pèfòmans lekti / ekri ap vin pi dousman.
1.7.2. Predi & Chèche
Nòmalman, lè Host la ap eseye li done ki soti nan PCIe SSD a, PCIe SSD a pral sèlman fè yon aksyon lekti apre li fin resevwa yon lòd. Sepandan, HG2283 aplike Predict & Fetch pou amelyore vitès li. Lè lame a bay kòmandman lekti sekans nan PCIe SSD a, SSD PCIe a pral otomatikman espere ke sa ki annapre yo pral li kòmandman tou. Kidonk, anvan ou resevwa pwochen lòd la, flash te deja prepare done yo. An konsekans, sa a akselere tan an pwosesis done, ak lame a pa bezwen rete tann anpil tan pou resevwa done.
1.7.3. SLC Caching
Konsepsyon firmwèr HG2283 a kounye a adopte kachèt dinamik pou delivre pi bon pèfòmans pou pi bon andirans ak eksperyans itilizatè konsomatè.
3.1. Kondisyon Anviwònman 3.1.1. Tanperati ak imidite
Tablo 3-1 Tanperati segondè
|
|
Tanperati |
Imidite |
|
Operasyon |
70 degre |
0 pousan RH |
|
Depo |
85 degre |
0 pousan RH |
Tablo 3-2 Tanperati ki ba
|
|
Tanperati |
Imidite |
|
Operasyon |
0 degre |
0 pousan RH |
|
Depo |
-40 degre |
0 pousan RH |
Tablo 3-3 Segondè Imidite
|
|
Tanperati |
Imidite |
|
Operasyon |
40 degre |
90 pousan RH |
|
Depo |
40 degre |
93 pousan RH |
Tablo 3-4 Tanperati monte bisiklèt
|
|
Tanperati |
|
Operasyon |
0 degre |
|
70 degre1 |
|
|
Depo |
-40 degre |
|
85 degre |
Nòt:
1. Tanperati operasyon an mezire pa tanperati ka a, nan ki ka deside atravè SMART Airflow sijere epi li pral pèmèt aparèy yo dwe opere nan tanperati ki apwopriye pou chak eleman pandan anviwònman chaj travay lou.
3.1.2. Chòk
Tablo 3-5 Chòk
|
|
Fòs akselerasyon |
|
Ki pa operasyonèl |
1500G |
3.1.3. Vibration
Tablo 3-6 Vibration
|
|
Kond |
isyon |
|
Frekans/Deplasman |
Frekans/akselerasyon |
|
|
Ki pa operasyonèl |
20Hz ~ 80Hz / 1.52mm |
80Hz ~ 2000Hz / 20G |
3.1.4. Drop
Tablo 3-7 Drop
|
|
|
Wotè gout |
|
|
Kantite gout |
|
Ki pa operasyonèl |
|
80cm tonbe gratis |
|
|
6 figi chak inite |
|
3.1.5. Koube |
Tablo 3-8 Koube |
|
|
||
|
|
|
Fòs |
|
|
Aksyon |
|
Ki pa operasyonèl |
|
Pi gran pase oswa egal a 20N |
|
|
Kenbe 1min/5fwa |
|
3.1.6. Koupl |
Tablo 3-9 koupl |
|
|
||
|
|
|
Fòs |
|
|
Aksyon |
|
Ki pa operasyonèl |
|
0.5N-m oswa ±2.5 degre |
|
|
Kenbe 1min/5fwa |
|
3.1.7. Dechaj elektwostatik (ESD) |
Tablo 3-10 ESD |
|
|
||
|
Spesifikasyon |
|
|
plis /- 4KV |
|
|
|
EN 55024, CISPR 24 EN 61000-4-2 ak IEC 61000-4-2 |
Fonksyon aparèy yo afekte, men EUT pral tounen nan eta nòmal oswa operasyonèl li otomatikman. |
||||
4. SPÉCIFICATIONS ELECTRIQUES
4.1. Pwovizyon pou Voltage
Tablo 4-1 Pwovizyon pou Voltage
|
Paramèt |
Rating |
|
Fonksyone Voltage |
Min =3.14 V Max {2}}.47 V |
|
Tan Ogmante (Max/Min) |
10 / 0.1 ms |
|
Tan Otòn (Max/Min) |
1500 ms / 1 ms |
|
Min. Off Tan1 |
1500 ms |
REMAK:
1. Tan minimòm ant pouvwa retire nan SSD (Vcc < 100 mV) ak pouvwa re-aplike nan kondwi a.
4.2. Konsomasyon pouvwa
Tablo 4-2 Konsomasyon pouvwa an mW
|
Kapasite |
Konfigirasyon Flash |
CE# |
Li (Max) |
Ekri (Max) |
Li (Mwayèn) |
Ekri (Mwayèn) |
|
128GB |
DDP x 1 |
2 |
3200 |
2930 |
2940 |
2530 |
|
256GB |
DDP x 2 |
4 |
4650 |
4560 |
4120 |
3400 |
|
512GB |
QDP x 2 |
8 |
5260 |
4190 |
4090 |
3390 |
|
1024GB |
QDP x 4 |
16 |
5350 |
6070 |
4050 |
3380 |
|
2048GB |
ODP x 4 |
16 |
6320 |
6650 |
4440 |
3810 |
NÒT:
Ki baze sou APF1Mxxx-seri anba tanperati anbyen.
Se valè an mwayèn nan konsomasyon pouvwa reyalize ki baze sou efikasite konvèsyon 100 pousan.
Tansyon pouvwa a mezire se 3.3V.
Tanperati yon aparèy depo nan PS1 ta dwe rete konstan oswa ta dwe yon ti kras diminye pou tout chaj travay pou pouvwa aktyèl la nan PS1 ta dwe pi ba pase PS0.
Tanperati yon aparèy depo nan PS2 ta dwe diminye sevè pou tout kantite travay, kidonk pouvwa aktyèl la nan PS2 ta dwe pi ba pase PS1.
5. ENTÈFÒS
5.1. Plasman Pin ak Deskripsyon
Tablo {{0}} defini siyal konektè entèn NGFF pou itilizasyon SSD, ki dekri nan PCI Express M.2 Specification vèsyon 1.0 PCI-SIG la.
Tablo 5-1 Plasman Pin ak Deskripsyon HG2283 M.2 2280
|
PIN No. |
PCIe PIN |
Deskripsyon |
|
1 |
GND |
KONFIG_3=GND |
|
2 |
3.3V |
3.3V sous |
|
3 |
GND |
Tè |
|
4 |
3.3V |
3.3V sous |
|
5 |
PETN3 |
PCIe TX siyal diferans ki defini nan espèk PCI Express M.2 |
|
6 |
N/C |
Pa gen koneksyon |
|
7 |
BÈT KAY |
PCIe TX siyal diferans ki defini nan espèk PCI Express M.2 |
|
8 |
N/C |
Pa gen koneksyon |
|
9 |
GND |
Tè |
|
10 |
LED1 # |
Louvri drenaj, aktif siyal ba. Siyal sa yo itilize pou pèmèt kat ajoute pou bay endikatè estati atravè aparèy ki ap dirije sistèm lan pral bay. |
|
11 |
PERN3 |
PCIe RX siyal diferans ki defini pa espèk PCI Express M.2 la |
|
12 |
3.3V |
3.3V sous |
|
13 |
PERP3 |
PCIe RX siyal diferans ki defini pa espèk PCI Express M.2 la |
|
14 |
3.3V |
3.3V sous |
|
15 |
GND |
Tè |
|
16 |
3.3V |
3.3V sous |
|
17 |
PETN2 |
PCIe TX siyal diferans ki defini nan espèk PCI Express M.2 |
|
18 |
3.3V |
3.3V sous |
|
19 |
BÈT KAY |
PCIe TX siyal diferans ki defini nan espèk PCI Express M.2 |
|
20 |
N/C |
Pa gen koneksyon |
|
21 |
GND |
Tè |
|
22 |
N/C |
Pa gen koneksyon |
|
23 |
PEN2 |
PCIe RX siyal diferans ki defini pa espèk PCI Express M.2 la |
|
24 |
N/C |
Pa gen koneksyon |
|
25 |
PERP2 |
PCIe RX siyal diferans ki defini pa espèk PCI Express M.2 la |
|
26 |
N/C |
Pa gen koneksyon |
|
27 |
GND |
Tè |
|
28 |
N/C |
Pa gen koneksyon |
|
29 |
BÈT KAY |
PCIe TX siyal diferans ki defini nan espèk PCI Express M.2 |
|
30 |
N/C |
Pa gen koneksyon |
|
31 |
BÈT KAY |
PCIe TX siyal diferans ki defini nan espèk PCI Express M.2 |
|
32 |
GND |
Tè |
|
33 |
GND |
Tè |
|
34 |
N/C |
Pa gen koneksyon |
|
35 |
PENSE |
PCIe RX siyal diferans ki defini pa espèk PCI Express M.2 la |
|
36 |
N/C |
Pa gen koneksyon |
|
37 |
PERp1 |
PCIe RX siyal diferans ki defini pa espèk PCI Express M.2 la |
|
PIN No. |
PCIe PIN |
Deskripsyon |
|
38 N/C |
Pa gen koneksyon |
|
|
39 GND |
Tè |
|
|
40 SMB{{1}CLK (I/O)(0/1.8V) |
SMBus Revèy; Louvri Drenaj ak rale-up sou platfòm |
|
|
41 |
PETn0 |
PCIe TX siyal diferans ki defini nan espèk PCI Express M.2 |
|
42 |
SMB{{0}}DONE (I/O)(0/1.8V) |
Done SMBus; Louvri Drenaj ak rale-up sou platfòm. |
|
43 |
PETp0 |
PCIe TX siyal diferans ki defini nan espèk PCI Express M.2 |
|
44 |
Alèt #(O) (0/1.8V) |
Notifikasyon alèt bay mèt; Louvri Drenaj ak rale-up sou platfòm; Aktif ba. |
|
45 |
GND |
Tè |
|
46 |
N/C |
Pa gen koneksyon |
|
47 |
PERN0 |
PCIe RX siyal diferans ki defini pa espèk PCI Express M.2 la |
|
48 |
N/C |
Pa gen koneksyon |
|
49 |
PERp{0}} |
PCIe RX siyal diferans ki defini pa espèk PCI Express M.2 la |
|
50 |
PREST#(I)(0/3.3V) |
PE-Reset se yon reset fonksyonèl nan kat la jan sa defini nan spesifikasyon PCIe Mini CEM la. |
|
51 |
GND |
Tè |
|
52 |
CLKREQ# (I/O)(0/3.3V) |
Clock Request se yon siyal demann revèy referans jan sa defini nan spesifikasyon PCIe Mini CEM la; Epitou itilize pa L1 PM Sou-eta yo. |
|
53 |
REFIZE |
PCIe Referans Clock siyal (100 MHz) defini nan espèk PCI Express M.2 la. |
|
54 |
PEWAKE#(I/O)(0/3.3V) |
PCIe PME Wake. Louvri Drenaj ak rale moute sou platfòm; Aktif Low. |
|
55 |
REFÒLKÒN |
PCIe Referans Clock siyal (100 MHz) defini nan espèk PCI Express M.2 la. |
|
56 |
Rezève pou MFG DATA |
Liy Done Faktori. Itilize pou fabrikasyon SSD sèlman. Pa itilize nan operasyon nòmal. Broch yo ta dwe kite N/C nan Socket platfòm. |
|
57 |
GND |
Tè |
|
58 |
Rezève pou MFG CLOCK |
Faktori liy revèy. Itilize pou fabrikasyon SSD sèlman. Pa itilize nan operasyon nòmal. Broch yo ta dwe kite N/C nan Socket platfòm. |
|
59 |
Kle modil M |
Kle modil |
|
60 |
Kle modil M |
|
|
61 |
Kle modil M |
|
|
62 |
Kle modil M |
|
|
63 |
Kle modil M |
|
|
64 |
Kle modil M |
|
|
65 |
Kle modil M |
|
|
66 |
Kle modil M |
|
|
67 |
N/C |
Pa gen koneksyon |
|
68 |
SUSCLK (32KHz) (I)(0/3.3V) |
32.768 kHz revèy ekipman pou antre ki bay chipset platfòm la pou diminye pouvwa ak pri pou modil la. |
|
69 |
NC |
CONFIG_1=Pa gen koneksyon |
|
70 |
3.3V |
3.3V sous |
|
71 |
GND |
Tè |
|
72 |
3.3V |
3.3V sous |
|
73 |
GND |
Tè |
|
74 |
3.3V |
3.3V sous |
|
75 |
GND |
KONFIG_2=Ground |
Faktè fòm: M.2 2280 S2
Dimansyon: 80.00mm (L) x 22.00mm (W) x 2.15mm (H)
|
Gade direksyon |
Dyagram |
|
tèt |
 
|
|
Anba |
|
|
Gade direksyon |
Dyagram |
|
Bò |
|
|
|
|
Figi 7-1 Dyagram mekanik pwodwi ak dimansyon
8. NÒT APLIKASYON
8.1. Wafer Level Chip Scale Packaging (WLCSP) Prekosyon pou manyen
Gen yon anpil nan eleman reyini sou yon sèl aparèy SSD. Tanpri okipe kondwi a ak atansyon espesyalman lè li gen nenpòt eleman WLCSP (Wafer Level Chip Scale Packaging) tankou PMIC, Capteur tèmik oswa switch chaj. WLCSP se youn nan teknoloji anbalaj ki lajman adopte pou fè anprent ki pi piti, men nenpòt ki boul oswa reyur ka domaje pati ultrasmall sa yo pou manyen dou yo rekòmande fòtman.
PA LAGE SSD
ENSTALE SSD AK SWEN
TORE SSD NAN YON PAKÈ PWOPRÈ
8.2. M Kle M.2 SSD Asanble Prekosyon
M Key M.2 SSD (Figi 1) se sèlman konpatib ak priz M Key (Figi 2). Jan yo montre nan ka itilize 2, move itilizasyon ka lakòz gwo domaj nan SSD ki gen ladan boule.
Figi 8-1 M Kle M.2 Prekosyon Asanble
Baj popilè: NOUVO M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T HG2283 plis HYNIX V7, Lachin NOUVO M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T HG2283 plis HYNIX V7
Voye rechèch
